图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FDB2552_F085 |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 150V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 36 mOhm @ 16A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 51nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16313?mpart=FDB2552_F085&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5A (Ta), 37A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 标准包装 | 800 |
| 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 36 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 51nC @ 10V |
| 其他名称 | FDB2552_F085CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 37 A |
| 系列 | FDB2552 |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| RDS（ON） | 97 mOhms |
| 功率耗散 | 150 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 上升时间 | 29 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 39 nC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2800 pF @ 25 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 4.83mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.097 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns |
| 封装类型 | TO-263AB |
| 最大连续漏极电流 | 37 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，39 常闭 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 39 nC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 配置 | Single |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 37 A |
| 长度 | 10.67 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 97 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.83 mm |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| 技术 | Si |
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